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科学家成功制备高性能锡基钙钛矿薄膜晶体管器件

2025-01-30 13:11:17 来源:网易 用户:季滢爽 

近日,电子科技大学刘奥和朱慧慧教授在新型半导体薄膜电子器件领域取得重要突破,相关成果发表于《自然协议》。锡基钙钛矿材料因低空穴有效质量和高迁移率,在高性能P沟道薄膜晶体管领域有巨大潜力,但制备高质量薄膜面临挑战。

针对这些挑战,朱慧慧等研究人员提出基于组分调控的化学溶液法,成功制备高性能锡基钙钛矿薄膜及CMOS器件。该方法可精准调控薄膜组分、提升结晶质量、降低缺陷密度,实验验证了器件的高稳定性与耐用性,为锡基钙钛矿在薄膜电子器件中的应用提供了可靠路径。

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